Samsung entwickelt industrieweit erstes LPDDR3 DRAM in 30nm-Class Prozesstechnologie
Samsung Electronics Co
TAIPEI, Taiwan (ots) –
Samsung Electronics Co. Ltd, ein weltweit führender Anbieter von modernsten Halbleiterlösungen, gab auf dem achten jährlichen Samsung Mobile Solutions Forum im Westin Taipei Hotel in Taiwan die Entwicklung des industrieweit ersten monolithischen 4gigabit (Gb) LPDDR3 (Low-Power Double-Data-Rate 3) Memory mit 30nanometer (nm) Class* Technologie bekannt. Prädestiniert ist das neue Memory für den Einsatz in mobilen Geräten wie Smartphones und Tablet-PCs. LPDDR3 DRAM wird benötigt, um in High-End Mobilgeräten der kommenden Generation schnellere Prozessoren, hochauflösende Displays und 3D-Grafik zu unterstützen.
“Samsung bietet die innovativste ‘Green’ Mobile Memory Lösung an, indem es die industrieweit ersten 4Gb-basierten LPDDR3 Modelle in 30nm-Class-Technologie entwickelt,” sagt Wanhoon Hong, Executive Vice President, Memory Sales Marketing, Device Solutions, Samsung Electronics. “Wir werden auch künftig intensiv mit Entwicklern von mobilen Geräten zusammenarbeiten, um leistungsstarke Lösungen für Mobilgeräte anzubieten, während wir die Expansion des Marktes vorantreiben.”
Der neue 4Gb LPDDR3 DRAM kann Daten mit bis zu 1.600Megabit pro Sekunde (Mbps) übertragen und ist somit etwa 1,5 Mal schneller als der LPDDR2 mit der derzeit höchsten Performance von 1.066Mbps. Darüber hinaus verbraucht der neue 4Gb LPDDR3 DRAM 20 Prozent weniger Energie als sein Vorgänger.
Zusätzlich ermöglicht Samsung die Nutzung eines einzigen 1GB LPDDR3 Gehäuses, indem zwei 4Gb Chips gestapelt werden. Mit dieser Lösung wird eine Datenübertragungsrate von bis zu 12,8gigabyte (GB) pro Sekunde erreicht.
Anfang nächsten Quartals wird Samsung beginnen, bedeutende Anbieter mobiler Geräte mit 4Gb-basierten LPDDR3-Chips zur Bemusterung zu beliefern. Es wird erwartet, dass die Chips nächstes Jahr verstärkt in moderne mobile Anwendungen einschließlich Smartphones und Tablet-PCs der nächsten Generation eingesetzt werden.
Um dem wachsenden Bedarf an Mobile Memory-Lösungen mit höherer Speicherkapazität zur Verarbeitung großer Datenmengen gerecht werden zu können, wird sich die maximale Kapazität von Mobile DRAM in High-End Mobilgeräten bis zum Jahresanfang 2012 von 1GB (8Gb) auf 2GB (16Gb) erhöhen. Diese Speicherdichte wird durch Stapeln (Stacking) von vier 4Gb LPDDR3-Chips ermöglicht.
Aus dem Untersuchungsbericht von IHS iSuppli geht hervor, dass der Markt für LPDDR3 DRAM ab 2013 sehr stark wachsen wird. Samsung wird auf diese Markterwartung in 2012 mit einer erhöhten Produktion von Komponenten reagieren und so die schnellere Einbindung von “Premium” Mobile DRAM Lösungen in Produkte der gesamten mobilen Elektronikbranche vorantreiben.
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Über Samsung Electronics Co. Ltd.
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* Hinweis für Redakteure: 30nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 30 und 39Nanometer (nm). Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an: Ujeong Jahnke Samsung Semiconductor Europe GmbH Tel. +49(0)6196-66-3525, Fax +49(0)6196-66-23525 Email: ujeong.j@samsung.com
Orginal-Meldung: http://www.presseportal.de/pm/54799/2123658/samsung-entwickelt-industrieweit-erstes-lpddr3-dram-in-30nm-class-prozesstechnologie-mit-bild/api
