Samsung Electronics produziert industrieweit erstes 3D V-NAND Flash Memory mit 256Gigabit
SEOUL, Korea – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich innovative Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten dreidimensionalen (3D) Vertical NAND (V-NAND) Flash Memorys mit 48 vertikal gestapelten Lagen, bestehend aus 3bit MLC-Arrays (Multi Level Cell), begonnen. Der neue Flash-Speicher mit einer Kapazität von 256Gb (gigabit) wurde für den Einsatz in SSDs (Solid State Drives) entwickelt.
„Mit der Markteinführung unseres V-NAND Flash Memorys der dritten Generation können wir jetzt die besten fortschrittlichen Speicherlösungen anbieten, die eine noch höhere Effizienz, basierend auf gesteigerter Leistungsfähigkeit, Leistungsausnutzung und Fertigungsproduktivität, erreichen und somit das Wachstum der High-Performance- und High-Density-SSD-Märkte beschleunigen,“ sagt Young-Hyun Jun, President des Memory Business bei Samsung Electronics. „Durch die komplette Nutzung der ausgezeichneten Leistungsmerkmale von Samsung V-NANDs werden wir unser Premium-Geschäft in den Enterprise- und Data-Center-Marktsegmenten sowie im Konsumermarkt erweitern und zugleich unseren strategischen SSD-Fokus weiter stärken.“
Samsungs neues 256Gb 3D V-NAND Flash Memory verdoppelt die Speicherkapazität herkömmlicher 128Gb NAND Flash Chips. Zusätzlich zu der Möglichkeit, eine Speicherkapazität von 32gigabyte (256gigabit) auf einem „Die“ unterzubringen, verdoppelt der neue Chip leicht die Kapazität von Samsungs vorhandenen SSD-Angeboten und ist eine ideale Lösung für Multi-Terabyte SSDs.
Samsung hat die 32-lagigen V-NAND Chips seiner zweiten Generation (3bit MLC V-NAND) im August 2014 vorgestellt. Seine V-NAND Chips der dritten Generation mit 48 Lagen (3bit MLC V-NAND) wurden in nur einem Jahr präsentiert. Das Unternehmen setzt damit seine Führungsposition in der 3D-Memory-Arena weiter fort.
Im neuen V-NAND-Chip nutzt jede Zelle die gleiche 3D CTF-Struktur (Charge Trap Flash), bei der die Zellen-Arrays vertikal gestapelt sind, um eine 48-stöckige „Masse“ zu bilden, die elektrisch über etwa 1,8 Mrd. Channel-Löcher durch die Arrays, hergestellt mit einer Spezial-Ätztechnologie, verbunden sind. Insgesamt enthält jeder Chip über 85,3 Mrd. Zellen. Jede Zelle kann 3bit Daten speichern, was 256 Mrd. bit Daten ergibt. In anderen Worten 256Gb auf einem Chip nicht größer als eine Fingerkuppe.
Ein 48-lagiger V-NAND Flash Chip (3bit MLC) mit 256Gb verbraucht beim Speichern des gleichen Datenvolumens 30 Prozent weniger Energie als ein 128Gb V-NAND Chip (3-bit MLC) mit 32 Lagen. In der Fertigung erreicht der neue Chip gegenüber seinem Vorgänger mit 32 Lagen eine etwa 40 Prozent höhere Produktivität. Dies sorgt im Hinblick auf die Kosten für eine erhöhte Wettbewerbsfähigkeit auf dem SSD-Markt, während hauptsächlich bereits vorhandenes Equipment genutzt wird.
Samsung plant, V-NAND Memory der dritten Generation für den Rest des Jahres 2015 zu produzieren, um den Einsatz von SSDs mit Kapazitäten im Terabyte-Bereich zu beschleunigen. Parallel zur Einführung von SSDs mit Kapazitäten von zwei Terabyte und mehr für Konsumer plant Samsung auch, seinen Umsatz mit High-Density SSDs für die Enterprise- und Data-Center-Storage-Märkte mit modernsten PCIe NVMe und SAS-Schnittstellen zu steigern.
Quelle: ots
